功率半导体与SiC · SiC衬底/第三代半导体材料与器件

SiC衬底/第三代半导体材料与器件 2026-W29周主线趋势

SiC衬底/第三代半导体材料与器件 2026-W29周主线趋势覆盖5个观察日、5条已审核事实；增强0条、减弱5条、风险0条、中性0条。

更新日期：2026-08-12

多日变化

增强0条、减弱5条、风险0条、中性0条

5条已审核事实

SiC衬底/第三代半导体材料与器件整体降温，平均涨幅 -6.7% ，下跌占比 100% 。

2026-07-17 · negative · strong

SiC衬底/第三代半导体材料与器件整体降温，平均涨幅 -4.73% ，下跌占比 83% 。

2026-07-16 · negative · strong

SiC衬底/第三代半导体材料与器件整体降温，平均涨幅 -4.26% ，下跌占比 100% 。

2026-07-15 · negative · strong

SiC 与第三代半导体整体降温，平均涨幅 -3.64% ，下跌占比 75% 。

2026-07-14 · negative · strong

SiC 与第三代半导体整体降温，平均涨幅 -6.17% ，下跌占比 100% 。

2026-07-13 · negative · strong