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SiC衬底/第三代半导体材料与器件 2026-W30周主线趋势

SiC衬底/第三代半导体材料与器件 2026-W30周主线趋势覆盖5个观察日、6条已审核事实；增强2条、减弱3条、风险0条、中性1条。

更新日期：2026-08-12

多日变化

增强2条、减弱3条、风险0条、中性1条

6条已审核事实

SiC衬底/第三代半导体材料与器件整体降温，平均涨幅 -2.35% ，下跌占比 100% 。

2026-07-24 · negative · medium

SiC 与第三代半导体当日无明显主题级事实变化。

2026-07-23 · neutral · neutral

SiC衬底/第三代半导体材料与器件整体降温，平均涨幅 -2.03% ，下跌占比 83% 。

2026-07-22 · negative · medium

SiC衬底/第三代半导体材料与器件整体升温，平均涨幅 6.77% ，上涨占比 100% 。

2026-07-21 · positive · strong

SiC衬底/第三代半导体材料与器件核心公司共振，核心平均涨幅 8.16% 。

2026-07-21 · positive · strong

SiC衬底/第三代半导体材料与器件整体降温，平均涨幅 -3.87% ，下跌占比 83% 。

2026-07-20 · negative · strong