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台积电预计2030年起在先进制程大规模生产中采用ASML高NA技术

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阿斯麦与台积电9月8日宣布成立行业合作计划,推动高数值孔径(High NA)极紫外光刻(EUV)光罩从目前的6英寸向12英寸升级,以提高晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本并消除拼接限制。双方计划于2031年建立12英寸光罩试产线,并推动12英寸高NA EUV光刻系统于2033年进入先进制程量产。台积电预计2030年起在先进制程大规模生产中采用ASML高NA技术。

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台积电预计2030年起在先进制程大规模生产中采用ASML高NA技术,原始来源为财联社,发布时间为2026-09-08T14:07:33。阿斯麦与台积电9月8日宣布成立行业合作计划,推动高数值孔径(High NA)极紫外光刻(EUV)光罩从目前的6英寸向12英寸升级,以提高晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本并消除拼接限制。双方计划于2031年建立12英寸光罩试产线,并推动12英寸高NA EUV光刻系统于2033年进入先进制程量产。台积电预计2030年起在先进制程大规模生产中采用ASML高NA技术相关主题:AI服务器。来源:主线罗盘,链接:https://www.ai-gupiao.com/news/103869。仅供研究学习参考,不构成投资建议。

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