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【三星电子会长李在镕赴日本考察先进封装技术 计划5年投资400亿日元】

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【三星电子会长李在镕赴日本考察先进封装技术 计划5年投资400亿日元】财联社11月1日电,三星电子会长李在镕11日访问位于日本横滨的先进封装研究中心(APL),实地考察下一代半导体封装材料及工艺技术研发进展,并与当地研究人员讨论加强与日本半导体材料、零部件及设备企业的合作。三星电子计划自2024年起在未来5年投资400亿日元(约2.54亿美元),将横滨APL打造为全球先进封装研发中心,并计划到2027年将当地研发人员扩大至100人以上。研究领域还将拓展至晶圆键合、玻璃基板等下一代封装技术。

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【三星电子会长李在镕赴日本考察先进封装技术 计划5年投资400亿日元】,原始来源为财联社,发布时间为2026-11-01T15:36:25。【三星电子会长李在镕赴日本考察先进封装技术 计划5年投资400亿日元】财联社11月1日电,三星电子会长李在镕11日访问位于日本横滨的先进封装研究中心(APL),实地考察下一代半导体封装材料及工艺技术研发进展,并与当地研究人员讨论加强与日本半导体材料、零部件及设备企业的合作。三星电子计划自2024年起在未来5年投资400亿日元(约2.54亿美元),将横滨APL相关主题:先进封装。来源:主线罗盘,链接:https://www.ai-gupiao.com/news/118629。仅供研究学习参考,不构成投资建议。

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