据报道，消息人士表示，台积电预计将于2026年第二季度开始扩大英伟达H200芯片产能。
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关键数据 • 扩产时间： 2026年Q2 ↑ • 性能提升：H200较H100推理性能提升约1.8倍 • 制程技术：4nm/5nm+CoWoS先进封装 利好还是利空： 中长期偏利好 主要风险 • 地缘政治风险：中美科技竞争可能影响产能布局和市场格局 • 需求波动风险：AI投资热潮退却导致算力需求不及预期 • 技术迭代风险：竞争对手推出颠覆性架构冲击现有技术路线 一句话总结： 台积电扩产H200芯片，AI算力军备竞赛升级，先进封装和HBM产业链持续受益。
先看核心要点
台积电启动H200扩产计划 台积电预计于 2026年第二季度 开始扩大英伟达H200芯片产能，这是继H100之后新一代AI加速芯片的产能布局
H200相比H100在HBM3e内存容量提升至141GB，性能提升约 1.8倍 ，显示AI算力需求持续攀升
市场驱动：大模型训练和推理需求激增 先进制程产能竞赛加速 H200芯片采用台积电 CoWoS先进封装 技术和4nm/5nm制程工艺，扩产计划反映出台积电在先进制程和先进封装领域的持续投入
半导体为什么值得看
短期看： 台积电扩产计划将带动上游半导体设备、先进封装材料订单增长，特别是 CoWoS封装设备、HBM内存、光刻设备 等环节将率先受益，供应链备货周期提前启动
中长期看： AI芯片产能扩张将重塑半导体产业格局，先进制程代工、先进封装、高带宽内存成为核心竞争赛道， 台积电-英伟达联盟 在AI算力产业链的主导地位进一步强化 ↑，推动全球AI基础设施投资周期延续至2027年
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资讯原文
据报道，消息人士表示，台积电预计将于2026年第二季度开始扩大英伟达H200芯片产能。
