【财联社快讯】NVIDIA据称计划在其新款Vera Rubin芯片中采用三星和海力士的HMB4存储技术。

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主题 半导体 时间 2026-03-09 类型 资讯解读
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来源:秒懂研报 类型:资讯解读 更新:2026-03-09T07:19:00
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关键数据 • HBM4带宽提升: 较HBM3E提升50%+ ↑ • 预计量产时间:2025年下半年 • 单颗容量:最高48GB 利好还是利空: 中长期偏利好 主要风险 • HBM4量产良率爬坡不及预期影响供货 • 地缘政治导致供应链稳定性风险 • 技术代差扩大加剧中国存储产业追赶难度 一句话总结: AI算力军备竞赛推动高端存储技术迭代,韩系厂商巩固领先优势。
先看核心要点
NVIDIA新旗舰芯片锁定HBM4 NVIDIA计划在下一代Vera Rubin架构GPU中采用三星和SK海力士的HBM4存储技术,这是继H100/H200系列后的又一代AI加速器升级
HBM4 相比HBM3E带宽和能效将提升50%以上 ↑
AI算力需求持续爆发驱动 韩系双雄提前卡位高端市场 三星和SK海力士已在HBM4研发上取得领先优势,预计2025年下半年量产供货
半导体为什么值得看
短期看: HBM4订单落地将刺激韩系存储厂商扩产投资,带动 先进封装、基板材料、测试设备 等环节需求提升
存储产业链有望在2025年迎来新一轮资本开支周期 ↑
半导体 【财联社快讯】NVIDIA据称计划在其新款Vera Rubin芯片中采用三星和海力士的HMB4存储技术。
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