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天成半导体成功研制14英寸碳化硅单晶材料
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中北高新区企业天成半导体近日继12英寸双突破后，依托自主研发设备成功研制出14英寸碳化硅单晶材料，有效厚度达30毫米。14英寸碳化硅单晶材料主要应用于碳化硅部件，即以碳化硅及其复合材料为主要材料的设备零部件。
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天成半导体成功研制14英寸碳化硅单晶材料，原始来源为财联社，发布时间为2026-03-29T12:09:00。中北高新区企业天成半导体近日继12英寸双突破后，依托自主研发设备成功研制出14英寸碳化硅单晶材料，有效厚度达30毫米。14英寸碳化硅单晶材料主要应用于碳化硅部件，即以碳化硅及其复合材料为主要材料的设备零部件。相关主题：功率半导体与SiC。来源：主线罗盘，链接：https://www.ai-gupiao.com/news/69774。仅供研究学习参考，不构成投资建议。
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财联社
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