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新型高性能二维半导体材料研发获突破
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近日，国防科技大学和中国科学院金属研究所联合研究团队在新型高性能二维半导体晶圆级生长和可控掺杂领域取得重要突破，有望为后摩尔时代自主可控的芯片技术提供关键材料和器件支撑。相关成果近日在线发表于国际顶级期刊《国家科学评论》。
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新型高性能二维半导体材料研发获突破，原始来源为财联社，发布时间为2026-04-09T11:08:00。近日，国防科技大学和中国科学院金属研究所联合研究团队在新型高性能二维半导体晶圆级生长和可控掺杂领域取得重要突破，有望为后摩尔时代自主可控的芯片技术提供关键材料和器件支撑。相关成果近日在线发表于国际顶级期刊《国家科学评论》。相关主题：算力芯片。来源：主线罗盘，链接：https://www.ai-gupiao.com/news/70533。仅供研究学习参考，不构成投资建议。
来源核对
材料来源
财联社
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