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三星电子HBM5细节曝光 或采用铜基HPB散热技术 预计2028年实现量产
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三星电子计划使用其自主研发的2nm工艺制造的芯片生产HBM5，预计将在2028年左右实现量产。而HPB将是大规模应用于其中的核心热管理技术，具体而言，HPB是一种集成在芯片封装内的金属导热结构，通常由铜基材料制成，其导热性能比基板、DAF或EMC等聚合物基材料高出约500至1000倍。
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三星电子HBM5细节曝光 或采用铜基HPB散热技术 预计2028年实现量产，原始来源为财联社，发布时间为2026-06-02T17:35:00。三星电子计划使用其自主研发的2nm工艺制造的芯片生产HBM5，预计将在2028年左右实现量产。而HPB将是大规模应用于其中的核心热管理技术，具体而言，HPB是一种集成在芯片封装内的金属导热结构，通常由铜基材料制成，其导热性能比基板、DAF或EMC等聚合物基材料高出约500至1000倍。相关主题：算力芯片。来源：主线罗盘，链接：https://www.ai-gupiao.com/news/82173。仅供研究学习参考，不构成投资建议。
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财联社
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