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三星：与英伟达CEO黄仁勋讨论了HBM4、代工方面的短期合作
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三星电子芯片部门负责人JUN表示，与英伟达CEO黄仁勋就HBM4、晶圆厂领域的短期合作事宜进行了讨论。JUN表示，我们正在合作研发4纳米和8纳米节点所需的自动驾驶芯片，以及NVIDIA的加速器芯片；我们还就长期合作进行了广泛讨论，包括HBM4E、代工业务、HBM5以及其他未来技术。双方还讨论了下一代芯片的代工合作。
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三星：与英伟达CEO黄仁勋讨论了HBM4、代工方面的短期合作，原始来源为财联社，发布时间为2026-06-08T17:52:00。三星电子芯片部门负责人JUN表示，与英伟达CEO黄仁勋就HBM4、晶圆厂领域的短期合作事宜进行了讨论。JUN表示，我们正在合作研发4纳米和8纳米节点所需的自动驾驶芯片，以及NVIDIA的加速器芯片；我们还就长期合作进行了广泛讨论，包括HBM4E、代工业务、HBM5以及其他未来技术。双方还讨论了下一代芯片的代工合作。相关主题：算力芯片。来源：主线罗盘，链接：https://www.ai-gupiao.com/news/82994。仅供研究学习参考，不构成投资建议。
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