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三菱化学与日本制钢所计划扩产氮化镓 产能扩充幅度50%
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《科创板日报》8日讯,三菱化学和日本制钢所(JSW)计划,到2027年扩充用于下一代功率半导体衬底的氮化镓(GaN)产能,较2026年提高50%。据悉,三菱化学正与JSW合作研发功率半导体用GaN衬底,目前三菱化学/JSW 4英寸衬底仍处于客户验证阶段。随着需求增加,双方决定进一步扩增产能,且目标在2026年度开始提供6英寸、2028年度提供8英寸衬底样品。
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三菱化学与日本制钢所计划扩产氮化镓 产能扩充幅度50%,原始来源为财联社,发布时间为2026-07-08T13:44:00。《科创板日报》8日讯,三菱化学和日本制钢所(JSW)计划,到2027年扩充用于下一代功率半导体衬底的氮化镓(GaN)产能,较2026年提高50%。据悉,三菱化学正与JSW合作研发功率半导体用GaN衬底,目前三菱化学/JSW 4英寸衬底仍处于客户验证阶段。随着需求增加,双方决定进一步扩增产能,且目标在2026年度开始提供6英寸、2028年度提供8英寸衬底样品。相关主题:功率半导体与SiC。来源:主线罗盘,链接:https://www.ai-gupiao.com/news/86966。仅供研究学习参考,不构成投资建议。
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财联社
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