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高盛顶级专家解读内存多空争论：涨价持续至2027年中 涨势却在放缓
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高盛顶级科技专家Sean Johnstone在一份报告中指出， 市场正在争论内存价格的上涨空间。多头一派认为，HBM和DRAM订单已排期到2027年，长期协议设定了价格底线，这代表着内存仍有70%至80%的利润空间。空头则分析称，内存价格的“二阶导数”已经转负，意味着内存上涨的速度放缓，可能在明年第二季度或者第三季度达到峰值，并在晚些时候转向小幅下跌。此外，内存行业高达80%的利润率正在促使客户重新设计其芯片，这可能影响内存的供需平衡。
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高盛顶级专家解读内存多空争论：涨价持续至2027年中 涨势却在放缓，原始来源为财联社，发布时间为2026-08-11T11:23:00。高盛顶级科技专家Sean Johnstone在一份报告中指出， 市场正在争论内存价格的上涨空间。多头一派认为，HBM和DRAM订单已排期到2027年，长期协议设定了价格底线，这代表着内存仍有70%至80%的利润空间。空头则分析称，内存价格的“二阶导数”已经转负，意味着内存上涨的速度放缓，可能在明年第二季度或者第三季度达到峰值，并在晚些时候转向小幅下跌。此外，相关主题：存储与HBM。来源：主线罗盘，链接：https://www.ai-gupiao.com/news/90331。仅供研究学习参考，不构成投资建议。
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