北方华创(002371):超高深宽比刻蚀助力3D NAND扩产

<p><span style=";font-family:微软雅黑;font-size:16px">&nbsp; &nbsp; &nbsp;<span style="font-family:微软雅黑">#核心观点： 1、SEMI预计全球300mm晶圆厂设备支出将持续增长，2025年将首次超过1,000亿美元，达到1,070亿美元，并预计在2026-2028年间分别达到1,160亿美元、1,200亿美元和1,380亿美元。 2、中国大陆预计在2026至2028年间设备支出总额将达940亿美元，继续领先全球300mm设备支出。 3、从全球分领域看，Logic和Micro领域预计在2026至2028年间设备投资总额领先，达1,750亿美元；Memory领域预计支出1,360亿美元位居第二；Analog相关领域预计投资超过410亿美元；功率相关领域预计投资270亿美元。 4、晶体管结构从平面转向3D（如GAAFET、CFET）以及背面供电网络（BSPDN）的发展，推动了对刻蚀、薄膜沉积等半导体设备的需求提升。例如，刻蚀设备在先进制程中的用量占比预计将从FinFET时代的20%上升至GAA架构下的35%。 5、全球内存技术多赛道并行迭代，HBM、CXL、3D NAND等技术发展推动刻蚀、薄膜设备需求大涨。随着3D NAND堆叠层数增加，刻蚀设备用量占比显著提升，ALD与CVD协同工艺成为主流。SEMI预计Memory领域三年设备支出达1,360亿美元，其中DRAM相关投资超790亿美元，3D NAND投资达560亿美元。 6、公司作为国内半导体设备平台型领军厂商，产品覆盖刻蚀、薄膜沉积、热处理、清洗、涂胶显影、离子注入等多个核心工艺环节，将持续受益于下游扩产与国产替代进程。根据Yole，中国大陆有望在2030年成为全球最大的半导体晶圆代工中心。 7、公司于2025年11月22日披露股票期权激励计划草案，拟向2,306名激励对象授予约1,046.6万份股票期权，约占公司股本总额的1.4446%，预计2025-2030年期权成本需摊销的总费用约21亿元。 #盈利预测与评级： 预计公司2025/2026/2027年分别实现收入398/503/613亿元，归母净利润61/84/111亿元，维持“买入”评级。 #风险提示： 人力资源风险，供应链风险，技术更新风险，市场需求波动风险，并购整合风险。</span></span></p><p><br/></p>