🧭 先看这份研报的核心结论

半导体设备景气的核心变化，是全球存储原厂上调资本开支，叠加HBM扩产和先进工艺升级，带动设备需求进入新一轮上行。

📌 核心要点

美光、三星、SK海力士相继加大投资，存储设备需求预期继续上修。

HBM占用更多DRAM产能，通用DRAM供给被压缩，景气周期可能拉长。

3DNAND堆叠和HBM升级提升工艺复杂度，沉积刻蚀量检测更受益。

💡 为什么值得看

这篇研报给出了本轮设备景气上行的直接触发点，即存储原厂Capex连续上调。

它不只讲需求回暖，还说明了HBM和先进封装怎样改变设备受益环节的强弱排序。

⚠️ 风险提示

若存储芯片需求增长低于预期，原厂新增扩产计划可能放缓。

HBM及先进制程推进慢于预期，相关设备订单释放节奏会受影响。

# 关键词

半导体设备 存储Capex HBM扩产 3DNAND 量检测 产能挤占

📊 关键数据

美光累计投资计划

超2500亿美元

2035年前，较此前2000亿美元进一步上调

美光FY2026资本开支

超250亿美元

TrendForce预计，同比增幅超过80%

HBM晶圆投入占比

18%→22%→30%

三大原厂占DRAM总投入比重，2025至2027年持续上升

全球存储月产能

约320万片

2024年DRAM与NAND合计月产能，制造仍集中东亚

📌 接下来重点跟踪什么

继续跟踪美光、三星、SK海力士后续资本开支指引是否再上修。

关注HBM晶圆投入占比和通用DRAM供给变化是否继续强化。

观察300层以上NAND、TSV和混合键合相关设备订单释放节奏。

📄 原文要点摘录

半导体设备景气的核心变化，是全球存储原厂上调资本开支，叠加HBM扩产和先进工艺升级，带动设备需求进入新一轮上行。；美光、三星、SK海力士相继加大投资，存储设备需求预期继续上修。