功率半导体与SiC · MOSFET/功率分立器件/IDM平台
MOSFET/功率分立器件/IDM平台 近3个观察日主线趋势
MOSFET/功率分立器件/IDM平台 近3个观察日主线趋势覆盖3个观察日、9条已审核事实；增强2条、减弱3条、风险0条、中性4条。
多日变化
证据结构
增强2条、减弱3条、风险0条、中性4条
证据与关系
美股隔夜主题篮子
功率分立IDM隔夜形成较强共振：ON涨2.04%、DIOD涨3.18%，篮子均值涨2.61%，明显跑赢QQQ和SPY，两只均上涨，偏向直接同业的板块性驱动。该表现可经汽车电子、工业控制等需求锚点传导至A股，但海外涨幅未必对应国内价格、稼动率和库存周期。开盘后应验证MOSFET及功率器件个股是否多数跟随，并观察量能与下游方向是否匹配。
主题整体降温
MOSFET/功率分立器件/IDM平台 整体降温，平均涨幅 -3.68% ，下跌占比 100% 。
热股关注度
MOSFET/功率分立器件/IDM平台 当日有 1 家公司进入热榜，Top20 0 家，跨平台 0 家。
美股隔夜主题篮子
ON跌2.93%、DIOD跌3.15%，两家直接同业同步走弱，篮子平均跌3.04%，且显著弱于QQQ和SPY，属于功率器件IDM的较明确负向共振。该变化可通过汽车、工业及消费电子等终端需求预期影响A股MOSFET和分立器件情绪。限制在于海外公司产品结构与A股不同。开盘后验证板块是否同步低开、领跌股是否放量，以及强势个股能否脱离海外锚点。
无明显变化
MOSFET/功率分立器件/IDM平台 当日无明显主题级事实变化。
热股关注度
MOSFET/功率分立器件/IDM平台 当日有 1 家公司进入热榜，Top20 0 家，跨平台 0 家。
美股隔夜主题篮子
MOSFET与分立IDM锚点整体偏强：ON涨2.16%，DIOD涨0.35%，篮子均值涨1.26%，两者均上涨，跑赢SPY涨0.66%，但略低于QQQ涨1.37%。这更接近细分同业的正向共振，可通过汽车、工业及电源管理需求向A股分立器件IDM传导。限制是两只样本中ON对涨幅贡献较高，存在单股集中影响。A股开盘后需验证是否有多只分立器件公司同步活跃，而非仅少数个股异动。
主题整体降温
MOSFET/功率分立器件/IDM平台 整体降温，平均涨幅 -2.77% ，下跌占比 100% 。
热股关注度
MOSFET/功率分立器件/IDM平台 当日有 1 家公司进入热榜，Top20 0 家，跨平台 0 家。
继续核对相关证据
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