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闪迪新专利：将NAND闪存堆叠在计算芯片下方 破解存储瓶颈
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《科创板日报》22日讯，近日，闪迪披露的一项专利显示，其正探索将NAND闪存与计算单元堆叠在单芯片封装中的方案，以缓解当前HBM供应紧张、容量受限及延迟等问题，其核心思路是在主计算芯片下方集成基于CBA技术的NAND存储单元，该计算芯片可以是GPU或AI处理器，同时在同一中介层上继续配置HBM堆栈。这种方案试图结合HBM的高带宽与NAND的大容量、低成本优势，并通过更宽的连接方式改善数据传输效率，同时降低成本和功耗压力。
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闪迪新专利：将NAND闪存堆叠在计算芯片下方 破解存储瓶颈，原始来源为财联社，发布时间为2026-06-22T15:25:00。《科创板日报》22日讯，近日，闪迪披露的一项专利显示，其正探索将NAND闪存与计算单元堆叠在单芯片封装中的方案，以缓解当前HBM供应紧张、容量受限及延迟等问题，其核心思路是在主计算芯片下方集成基于CBA技术的NAND存储单元，该计算芯片可以是GPU或AI处理器，同时在同一中介层上继续配置HBM堆栈。这种方案试图结合HBM的高带宽与NAND的大容量、低成本优势相关主题：算力芯片。来源：主线罗盘，链接：https://www.ai-gupiao.com/news/84732。仅供研究学习参考，不构成投资建议。
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财联社
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