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三星电子：HCB技术有望成为未来提升HBM4E量产竞争力的重要技术基础
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《科创板日报》26日讯，三星电子的研究团队近期通过多尺度建模和在接近服务器级实际应用环境条件下进行的芯片测试实验，系统地验证了混合铜键合（HCB）技术在散热管理方面明显优于传统的热压键合（TCB）技术。HCB技术能够有效缓解堆叠多层（16层或以上）时出现的散热问题，有望成为未来提升HBM4E量产竞争力的重要技术基础。该研究（《采用2.5D先进封装的混合铜键合HBM系统级热特性分析》）已于本月发表在IEEE（电气与电子工程师协会）期刊上。
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三星电子：HCB技术有望成为未来提升HBM4E量产竞争力的重要技术基础，原始来源为财联社，发布时间为2026-06-26T15:38:00。《科创板日报》26日讯，三星电子的研究团队近期通过多尺度建模和在接近服务器级实际应用环境条件下进行的芯片测试实验，系统地验证了混合铜键合（HCB）技术在散热管理方面明显优于传统的热压键合（TCB）技术。HCB技术能够有效缓解堆叠多层（16层或以上）时出现的散热问题，有望成为未来提升HBM4E量产竞争力的重要技术基础。该研究（《采用2.5D先进封装的混合铜键合相关主题：算力芯片。来源：主线罗盘，链接：https://www.ai-gupiao.com/news/85455。仅供研究学习参考，不构成投资建议。
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