【简】兆易创新(603986.SH)：深度跟踪报告—DRAM视角看兆易：AI时代存力腾飞，公司卡位核心250731

<p style="text-indent:32px"><span style="letter-spacing: 0px; font-size: 16px;"><span style="">一、</span><span style="">DRAM 行业趋势：AI 驱动需求爆发1. 市场增长与技术迭代市场规模：2024 年全球 DRAM 市场规模为 612.1 亿美元，预计 2029 年将达 1700.8 亿美元，CAGR 达 22.68%。AI 算力需求（如大模型训练、端侧 AI应用）成为核心驱动力，HBM（高带宽内存）和利基型 DRAM 需求显著增长。技术升级：国际厂商（三星、美光等）转向 HBM 等高端产品，逐步减少利基型 DRAM 产能，为兆易创新等国内企业提供市场空间。2. 竞争格局变化国际大厂（如 SK 海力士、三星）缩减 DDR3/DDR4 产能，聚焦 HBM；兆易创新通过定制化 DRAM 方案（如 LPDDR5、DDR4 8Gb）抢占利基市场，尤其在车规级和工业领域实现突破。二、兆易创新的 DRAM 布局与优势1. 产品与市场地位产能与技术：依托合肥长鑫代工（19nm DDR4 量产，良率超 95%），自研 DDR3/DDR4 产品覆盖主流容量段（如 8Gb、16Gb），2024 年 DRAM 出货量同比翻倍，车规级产品进入比亚迪、蔚来供应链。市场份额：国内利基型 DRAM 龙头，全球市占率稳步提升，目标 2025 年突破高端 DDR5 市场。2. AI 端侧应用场景定制化方案：投资青耘科技和光羽芯辰，开发 3D 堆叠 DRAM（如 CUBE技术），满足 AI 边缘计算对高带宽、低功耗的需求。车规级扩展：GD32A 系列 MCU+DRAM 组合方案覆盖智能座舱、自动驾驶等领域，绑定国内新能源车企。3. 财务表现与研发投入增长动能：2024 年存储业务营收占比 70.6%，DRAM 贡献显著；全年研发投入 12.5 亿元，聚焦 LPDDR5/DDR5 技术迭代。盈利优化：2025 年 Q1 毛利率提升至 37.44%，受益于高端产品占比提升及行业价格企稳。三、风险与挑战1. 行业周期波动：DRAM 价格受供需关系影响显著，若库存去化不及预期可能压缩利润空间。2. 技术追赶压力：国际大厂在 HBM 等前沿领域保持领先，兆易创新需加速突破先进制程（如 1α/1β工艺）。3. 供应链风险：依赖台积电等代工厂，地缘政治或影响产能稳定性。四、投资建议与展望核心逻辑：AI 算力与端侧应用驱动 DRAM 需求结构性增长，兆易创新凭借利基市场卡位+定制化能力+国产替代加速，有望成为国产存储龙头。目标估值：预计 20252027 年 EPS 分别为 2.27 元、3.04 元、3.88 元，维持“买入”评级，建议关注其 DRAM 业务毛利率提升及 HBM 产业链协同机会。报告结论：兆易创新在 DRAM 领域的差异化布局（利基市场+车规级+AI定制化）使其充分受益于 AI 算力基础设施建设，长期增长潜力明确，但需警惕行业周期波动及技术迭代风险。</span></span></p><p><br/></p>